セラミックス絶縁放熱基板(回路パターン付き基板)

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窒化ケイ素セラミックス 絶縁回路基板

 放熱性と強度を兼ね備えた窒化ケイ素セラミックスに、活性金属接合法により銅回路を形成した絶縁回路基板です(活性金属銅回路:Active Metal brazed Copper から、当社ではAMC基板と命名しています)。
 素体であるセラミックス基板の強度が高いため、0.1mmから最大0.8mmまでの厚さの銅回路を形成できます。
 高い放熱性を有することから、パワーモジュールの高出力化・小型化を可能にするキーマテリアルです。また耐熱サイクル性にも非常に優れ、長寿命で信頼性の高い基板です。
 また、パワーモジュールにおける銅電極端子の超音波(US)接合や、銅ベースレス化、穴を開けてのねじ止めなど、多様な実装構造にお使いいただけます。

窒化ケイ素セラミックス 絶縁回路基板

特長

  • 放熱性と強度を兼ね備えている
  • 回路の厚銅化が可能
  • 優れた耐熱サイクル性

製品仕様

 標準デザイン

        
窒化ケイ素セラミックス 絶縁回路基板 標準デザイン
セラミックス 材質:窒化ケイ素(Si3N4)。熱伝導率 90W/mK(JIS R1611)
[C]セラミックス厚さ(mm) 0.25 0.32 0.635 *1
公差(mm) ±0.05
[A,B]外形寸法(mm) 最大有効範囲_90×110 *2
外形公差(mm) ±0.15 ±0.20

*1:セラミックスの厚さで0.635mmをご希望の場合は、事前にお問合せ下さい。

*2:セラミックス厚さが0.25㎜や0.32㎜では、125mmx165mmまで可能な場合がありますので、ご希望の場合はご相談ください。

電極材 Cu
[D]銅回路厚(mm) 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.40 0.50 0.60 0.70 0.80
[E]銅周辺部間隔(mm) min.0.5 min.0.7 min.1.0
[F]銅パターン幅(mm)
※セラミックス側の接合面を基準とする。
※銅パターンのTOP側寸法の指定がある場合はご相談ください。
min.0.4 min.0.5 min.0.7 min.1.0
[G]銅パターン間隔(mm)
※パターン間絶縁距離[G']は最小寸法距離を満足すること。
min.0.4 min.0.5 min.0.6 min.1.0 min.1.2
銅パターン公差(mm) ±0.2 ±0.3 ±0.4 ±0.5
[H]銅パターンテーパー寸法(mm) ≦0.5D(銅回路厚[D]の 1/2 以下)
反り(mm) 0.2/50 以下
表面粗さ(JIS B 0601:2001) Rz≦15,(Ra≦6)
ピール強度(JIS C 6481:1996) ≧9.8kN/m
めっき処理 無電解めっき Ni / NiAu
めっき厚さ(任意の測定点) Ni:2~6μm / Ni:2~6μm,Au:0.05~0.1μm
ソルダレジスト
※指定がある場合はご相談ください。
UV硬化タイプ / 熱硬化タイプ
ソルダレジスト厚さ 5~45μm

*表の値は参考値であり、保証値ではありません。上表以外のデザインをご希望される場合は、お問合せ下さい。

デザインルール説明図

 銅回路の接合方法

 AMC(活性金属銅回路)基板は、ろう材を介してセラミックスと銅回路板を接合します。ファインパターンの形成が容易で、耐熱性、コストパフォーマンスに優れたパワーモジュール基板です。

用途

  • パワーモジュール …インバータ・コンバータ
    製品用途例説明図

 顧客メリット

  • 高出力化
  • 小型化
  • 低損失化
  • 長寿命・高信頼化

製品紹介動画

カタログ

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