セラミックス絶縁放熱基板（回路パターン付き基板）
窒化ケイ素セラミックス 絶縁回路基板
放熱性と強度を兼ね備えた窒化ケイ素セラミックスに、活性金属接合法により銅回路を形成した絶縁回路基板です（活性金属銅回路：Active Metal brazed Copper から、当社ではAMC基板と命名しています）。
素体であるセラミックス基板の強度が高いため、0.1mmから最大0.8mmまでの厚さの銅回路を形成できます。
高い放熱性を有することから、パワーモジュールの高出力化・小型化を可能にするキーマテリアルです。また耐熱サイクル性にも非常に優れ、長寿命で信頼性の高い基板です。
また、パワーモジュールにおける銅電極端子の超音波（US）接合や、銅ベースレス化、穴を開けてのねじ止めなど、多様な実装構造にお使いいただけます。
NEW! テクノフロンティア2024に出展します！
2024年7月24日(水)から7月26日(金)まで
会場：東京ビックサイト・東３ホール_ブース番号：３Ｆ－１８(東芝グループ)
▶公式サイト/来場登録はこちら
会場：東京ビックサイト・東３ホール_ブース番号：３Ｆ－１８(東芝グループ)
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特長
- 放熱性と強度を兼ね備えている
- 回路の厚銅化が可能
- 優れた耐熱サイクル性
製品仕様
標準デザイン
| セラミックス | 材質：窒化ケイ素(Si3N4)。熱伝導率 90W/mK(JIS R1611) | ||
| [C]セラミックス厚さ(mm) | 0.25 | 0.32 | 0.635 *1 |
|---|---|---|---|
| 公差(mm) | ±0.05 | ||
| [A，B]外形寸法(mm) | 最大有効範囲_90×110 *2 | 外形公差(mm) | ±0.15 | ±0.20 |
*1:セラミックスの厚さで0.635mmをご希望の場合は、事前にお問合せ下さい。
*2:セラミックス厚さが0.25㎜や0.32㎜では、125mmx165mmまで可能な場合がありますので、ご希望の場合はご相談ください。
| 電極材 | Cu | ||||||||||
| [D]銅回路厚(mm) | 0.10 | 0.15 | 0.20 | 0.25 | 0.30 | 0.40 | 0.50 | 0.60 | 0.70 | 0.80 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| [E]銅周辺部間隔(mm) | min.0.5 | min.0.7 | min.1.0 | ||||||||
| [F]銅パターン幅(mm) ※セラミックス側の接合面を基準とする。 ※銅パターンのTOP側寸法の指定がある場合はご相談ください。 |
min.0.4 | min.0.5 | min.0.7 | min.1.0 | |||||||
| [G]銅パターン間隔(mm) ※パターン間絶縁距離[G']は最小寸法距離を満足すること。 |
min.0.4 | min.0.5 | min.0.6 | min.1.0 | min.1.2 | ||||||
| 銅パターン公差(mm) | ±0.2 | ±0.3 | ±0.4 | ±0.5 | |||||||
| [H]銅パターンテーパー寸法(mm) | ≦0.5D（銅回路厚[D]の 1/2 以下） | ||||||||||
| 反り(mm) | 0.2/50 以下） | ||||||||||
| 表面粗さ(JIS B 0601:2001) | Rz≦15,(Ra≦6) | ||||||||||
| ピール強度(JIS C 6481:1996) | ≧9.8kN/ｍ | ||||||||||
| めっき処理 | 無電解めっき Ni / NiAu | ||||||||||
| めっき厚さ(任意の測定点) | Ni:2～6μm / Ni:2～6μm,Au:0.05～0.1μm | ||||||||||
| ソルダレジスト ※指定がある場合はご相談ください。 |
UV硬化タイプ / 熱硬化タイプ | ||||||||||
| ソルダレジスト厚さ | 5～45μm | ||||||||||
*表の値は参考値であり、保証値ではありません。上表以外のデザインをご希望される場合は、お問合せ下さい。
銅回路の接合方法
AMC（活性金属銅回路）基板は、ろう材を介してセラミックスと銅回路板を接合します。ファインパターンの形成が容易で、耐熱性、コストパフォーマンスに優れたパワーモジュール基板です。
用途
- パワーモジュール …インバータ・コンバータ
顧客メリット
- 高出力化
- 小型化
- 低損失化
- 長寿命・高信頼化
