セラミックス絶縁放熱基板(白板)

お気軽にご相談ください

受付: 9:00~17:00(弊社営業日)

お問い合わせ

窒化ケイ素セラミックス
白板(プレーン基板)

東芝マテリアルの窒化ケイ素セラミックス基板は、世界トップレベルの高放熱性と高強度を兼ね備えています。
パワー半導体モジュールや、インバーター、コンバーター等のエレクトロニクス分野に用いられ、他の絶縁材から置き換えることで、製品の高出力化・小型化・軽量化が実現します。
また強度が非常に高く、アプリケーションの長寿命化・信頼性向上を支えるキーマテリアルです。

窒化ケイ素セラミックス 白板(プレーン基板)

特長

  • 世界トップレベルの高放熱性と高強度
  • 従来困難であった、穴を開けてのねじ止め・圧接といった設計が可能

他素材との比較

窒化ケイ素セラミックス 白板(プレーン基板)他素材との比較
材質 アルミナ アルジル AlN Si3N4(SIN)
Al2O3 (ZDA,ZTA) [TAN-170~250] 電子用 構造用
[TSN-90] [TSN-03]
熱伝導率
(W/m・K)
20~30 24 160~255 85~95 20
曲げ強度
(MPa)
310~400 500~600 300~450 650 1000
破壊靭性値
(MPa・m1/2
3~4 5~7 2~4 5~7 6~8
線膨張係数
(×10-6/K)
7.1~8.1 7~8 4.5~4.6 2.6 3.0
絶縁耐力
(kV/mm)
>12 >14 >14 >14 >14
比誘電率 9~10 12 8~9 7~9 7~9

製品仕様 (標準デザイン)

窒化ケイ素セラミックス 白板(プレーン基板)製品仕様
項目 単位 窒化アルミニウム(AlN) 窒化ケイ素(SiN)
TAN-170 TAN-200 TAN-230 TAN-90
外形寸法 mm MAX 160×160 φ210 MAX 160×160 MAX 100×100 MAX 170×130
公差 標準 ±0.2mm(レーザーカット) ±0.15mm(レーザーカット)
厚さ mm 0.4~2.5 0.4~1.5 0.635 0.32/0.635
公差 標準 ±10% ±0.02mm(研磨加工) ±0.05mm
反り mm 0.4%以下 0.4%以下(≦50mm)
表面加工 - 標準 ブラスト加工、ラップ研磨、鏡面研磨、表面加工無し ブラスト加工

*表の値は参考値であり、保証値ではありません

用途

  • パワーカード(パワー半導体)の両面放熱 …自動車用パワーコントロールユニット
    パワーカード(パワー半導体)の両面放熱 …自動車用パワーコントロールユニットの図
  • パワーIGBT/MOSFETディスクリートパッケージ実装
    パワーIGBT/MOSFETディスクリートパッケージ実装の図
  • インバーター
  • コンバーター
  • バッテリー
  • 二次電池
  • 車載用エアコン
  • LED

顧客メリット

  • 高出力化
  • 小型化
  • 軽量化
  • 長寿命化
  • 高信頼化

カタログダウンロード

窒化アルミニウムセラミックス
白板(プレーン基板)

世界トップレベルの高放熱性を有する窒化アルミニウムセラミックス基板です。160~最大値255W/m・K
の高熱伝導率の製品を展開しており、高放熱性が必要な箇所や、要求される耐電圧が高く、ある程度基板に厚みが必要な箇所などには特に最適な絶縁放熱基板です。
また、熱膨張率がSi、SiC、GaN、GaAs チップに近似しており、半導体実装用基板としても最適です。

窒化アルミニウムセラミックス 白板(プレーン基板)

特長

  • 世界トップレベルの高放熱性と、豊富なラインナップ
  • 薄膜メタライズ付き基板も展開 リンクはこちら。

他素材との比較

窒化アルミニウムセラミックス 白板(プレーン基板)他素材との比較
材質 アルミナ アルジル AlN Si3N4(SIN)
Al2O3 (ZDA,ZTA) [TAN-170~250] 電子用 構造用
[TSN-90] [TSN-03]
熱伝導率
(W/m・K)
20~30 24 160~255 85~95 20
曲げ強度
(MPa)
310~400 500~600 300~450 650 1000
破壊靭性値
(MPa・m1/2
3~4 5~7 2~4 5~7 6~8
線膨張係数
(×10-6/K)
7.1~8.1 7~8 4.5~4.6 2.6 3.0
絶縁耐力
(kV/mm)
>12 >14 >14 >14 >14
比誘電率 9~10 12 8~9 7~9 7~9

製品仕様 (標準デザイン)

窒化アルミニウムセラミックス 白板(プレーン基板)製品仕様
項目 単位 窒化アルミニウム(AlN) 窒化ケイ素(SiN)
TAN-170 TAN-200 TAN-230 TAN-90
外形寸法 mm Max. 160×160 φ210 Max. 160×160 Max. 100×100 Max. 170×130
公差 標準 ±0.2mm(レーザーカット) ±0.15mm(レーザーカット)
厚さ mm 0.4~2.5 0.4~1.5 0.635 0.32/0.635
公差 標準 ±10% ±0.02mm(研磨加工) ±0.05mm
反り mm 0.4%以下 0.4%以下(≦50mm)
表面加工 - 標準 ブラスト加工、ラップ研磨、鏡面研磨、表面加工無し ブラスト加工

*表の値は参考値であり、保証値ではありません

用途

  • 厚膜・薄膜・マイクロ波回路基板のベース
  • 抵抗チップ(チップレジスター)

顧客メリット

  • 高出力化
  • 小型化

カタログダウンロード

お気軽にご相談ください

受付時間: 9:00~17:00
(土日・祝祭日、年末年始・弊社休業日を除く)

お問い合わせ

関連製品

  • セラミックス絶縁放熱基板(回路パターン付き基板)
  • ベアリング・ボール / その他機械部品

その他の商品を探す

ファイン
セラミックス

シンチレータ

磁性部品

タングステン
・モリブデン

半導体製造部材 /
各種コーティング

その他金属・部品

新しいタブで開きます
:このアイコンのリンクは、新しいブラウザウィンドウで開きます。
このページのトップへ
メニュー