セラミックス絶縁放熱基板（白板）
窒化アルミニウムセラミックス
白板（プレーン基板）
世界トップレベルの高放熱性を有する窒化アルミニウムセラミックス基板です。160～最大値255W/m・K
の高熱伝導率の製品を展開しており、高放熱性が必要な箇所や、要求される耐電圧が高く、ある程度基板に厚みが必要な箇所などには特に最適な絶縁放熱基板です。
また、熱膨張率がSi、SiC、GaN、GaAs チップに近似しており、半導体実装用基板としても最適です。
特長
- 世界トップレベルの高放熱性と、豊富なラインナップ
- 薄膜メタライズ付き基板も展開 リンクはこちら。
他素材との比較
| 材質 | アルミナ | アルジル | AlN | Si3N4（SIN） | |
|---|---|---|---|---|---|
| Al2O3 | （ZDA,ZTA） | [TAN-170～250] | 電子用 | 構造用 | |
| [TSN-90] | [TSN-03] | ||||
| 熱伝導率 （W/m・K） |
20～30 | 24 | 160～255 | 85～95 | 20 |
| 曲げ強度 （MPa） |
310～400 | 500～600 | 300～450 | 650 | 1000 |
| 破壊靭性値 （MPa・m1/2） |
3～4 | 5～7 | 2～4 | 5～7 | 6～8 |
| 線膨張係数 （×10-6/K） |
7.1～8.1 | 7～8 | 4.5～4.6 | 2.6 | 3.0 |
| 絶縁耐力 （kV/mm） |
>12 | >14 | >14 | >14 | >14 |
| 比誘電率 | 9～10 | 12 | 8～9 | 7～9 | 7～9 |
製品仕様 (標準デザイン)
| 項目 | 単位 | 窒化アルミニウム（AlN） | 窒化ケイ素（SiN） | ||
|---|---|---|---|---|---|
| TAN-170 | TAN-200 | TAN-230 | TSN-90 | ||
| 外形寸法 | mm | Max. 160×160 φ210 | Max. 160×160 | Max. 100×100 | Max. 170×130 |
| 公差 | 標準 ±0.2mm（レーザーカット） | ±0.15mm（レーザーカット） | |||
| 厚さ | mm | 0.4～2.5 | 0.4～1.5 | 0.635 | 0.32/0.635 |
| 公差 | 標準 ±10％ ±0.02mm（研磨加工） | ±0.05mm | |||
| 反り | mm | 0.4％以下 | 0.4％以下（≦50mm） | ||
| 表面加工 | - | 標準 ブラスト加工、ラップ研磨、鏡面研磨、表面加工無し | ブラスト加工 | ||
*表の値は参考値であり、保証値ではありません
用途
- 厚膜・薄膜・マイクロ波回路基板のベース
- 抵抗チップ（チップレジスター）
顧客メリット
- 高出力化
- 小型化
お気軽にご相談ください
関連製品
：このアイコンのリンクは、新しいブラウザウィンドウで開きます。
このページのトップへ